Co je lepší pro vysokonapěťové rychlé nabíjení nebo vysokonapěťové rychlé nabíjení?
S rozvojem technologie nabíjení mobilních telefonů přijímá většina současných smartphonů řešení rychlého nabíjení. Známe bleskové nabíjení OPPO VOOC, rychlé nabíjení Qualcomm QC, nabíjení Huawei SuperCharge a tak dále.
Co je tedy lepší, vysokonapěťové rychlé nabíjení nebo vysokoproudé rychlé nabíjení?
Podle výkonu P=proud (I) x napětí (U) není zvýšení nabíjecího výkonu mobilního telefonu nic jiného než zvýšení nabíjecího proudu nebo zvýšení nabíjecího napětí, případně obojí.
V současné době rychlonabíjení zahrnuje vysokonapěťové rychlonabíjení a rychlonabíjení vysokým proudem. Představitelem vysokonapěťového rychlého nabíjení je technologie rychlého nabíjení Qualcomm QuickCharge. Qualcomm konečně na druhém Snapdragon Technology Summit nedávno vydal rychlonabíjecí hlavu QC 4+. Z parametrů je vidět, že Qualcomm QC 4+ podporuje rychlé nabíjení až 27W. Výstupní výkon je 5V/3A, 9V/3A, 11V/2,4A, 12V/2,25A. Z technických parametrů je Qualcomm QC 4+ stále vysokonapěťový a rychlý. Pro schéma nabíjení nepřesahuje maximální proud 3A.
Qualcomm QC 4+ je jedním z mála řešení rychlého nabíjení, které stále trvá na vysokonapěťovém rychlém nabíjení. Který je lepší? Nízkonapěťové a vysokoproudé rychlé nabíjení jsou lepší. Nejviditelnější každodenní zkušeností je rychlé nabíjení. Současně je také nízké nabíjecí teplo.
Napětí nízkonapěťového a silnoproudého rychlonabíjení se pohybuje většinou kolem 5V a tomuto údaji odpovídá napětí baterie mobilního telefonu. Při nabíjení mobilního telefonu nízkým napětím a vysokým proudem je proto účinnost přeměny energie vyšší.
Protože většina energetických ztrát v procesu nabíjení vzniká při výrobě tepla, čím nižší je tvorba tepla, tím vyšší je účinnost přeměny. Vysokonapěťové schéma rychlého nabíjení však tuto výhodu nemá a teplo vznikající při procesu nabíjení je výrazně vyšší.
Kromě nízkonapěťového a vysokoproudého rychlonabíjení a vysokonapěťového rychlonabíjení existují také technologie rychlého nabíjení, které využívají kompromisní metodu. Napětí a proud se trochu zvýší a lze také dosáhnout stejného nabíjecího výkonu.
QuickCharge Qualcomm's tuto funkci podporuje. Například nejnovější QC 4+ podporuje rychlé nabíjení 12V/2,25A a má také převod 9V/3A, ale ani tato kompromisní metoda nemusí nutně znamenat účinnost přeměny energie. Existují nízkonapěťové rychlonabíjení a vysokorychlostní nabíjení. Pokud jde o to, proč Qualcomm trvá na vysokonapěťovém rychlém nabíjení, nevím.
Z výše uvedeného je patrné, že ačkoliv jsou názvy rychlonabíjecích schémat na trhu různé, skutečná rychlonabíjecí schémata jsou ve skutečnosti pouze vysokonapěťová rychlá Výhody nízkého vývinu tepla v době trupu se začaly postupně rozšiřovat .
V budoucnu, s technologickými průlomy, se může objevit extrémně rychlé nabíjecí řešení s vysokým napětím a vysokým proudem.